स्टीफन बी. बेयने और बेयॉय एन पुष्पकरण
सिलिकॉन कार्बाइड अनुवर्ती
कई वर्षों के शोध और विकास के बाद, सिलिकॉन कार्बाइड अपने अभिन्न अंग के कारण पावर इलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में पारंपरिक सिलिकॉन के प्रमुख उत्तराधिकारी के रूप में सामने आया है। सिलिकॉन कार्बाइड सामग्री अर्धसामग्री के प्रयोगशाला में सुधार करता है और बहुत छोटे संरचना वाले सामग्री का उपयोग भी करता है। सिलिकॉन कार्बाइड के रासायनिक और इलेक्ट्रॉनिक गुण उन गोदामों में स्थित होते हैं जो विशेष रूप से उच्च शक्ति उपकरणों में अर्धचालकों के लिए उपयोगी होते हैं। इन उपकरणों में विकिरण विकिरण-प्रतिरोध, उच्च तापमान परिचालन क्षमता, उच्च वोल्टेज और बिजली प्रबंधन क्षमता शामिल हैं। विशेष रूप से औद्योगिक, विद्युत और विद्युतीय ऊर्जा (सौर और पवन क्षेत्र) के क्षेत्र में SiC का उपयोग डिज़ाइन सिस्टम में छोटे शीतलन समाधानों को भी सक्षम किया गया है। SiC इलेक्ट्रॉनिक्स का उपयोग इलेक्ट्रिक स्पेक्ट्रम और हाइब्रिड इलेक्ट्रिक स्पेक्ट्रम, इलेक्ट्रिक ट्रैक्शन कंट्रोल, पावर इलेक्ट्रानिक यूनिट, फोटोवोल्टिक उपकरण, कन्वर्टर और इन्वर्टर में भी किया जाता है।
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