इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और इलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी जर्नल

GaN-आधारित हेटरोस्ट्रक्चर के लिए दो-आयामी इलेक्ट्रॉन गैसों का अध्ययन

रहमान एमएस, बाबुया एसके, महफूज एमए, सिद्दीकी एफबीटी और महमूद जेडएच

स्व-संगत श्रोडिंगर-पॉइसन समीकरण सिम्युलेटर का उपयोग करके AlGaN/GaN, AlN/GaN और InGaN/GaN हेटरोस्ट्रक्चर के लिए दो आयामी इलेक्ट्रॉन गैस (2DEG) शीट वाहक घनत्व की जांच की जाती है। सिमुलेशन 2DEG घनत्व प्रकृति की विशेषताओं के पीछे अंतर्निहित भौतिकी को भी ध्यान में रखता है। मिश्र धातु संरचना पर 2DEG घनत्व की निर्भरता, चैनल परत की मोटाई और गेट वोल्टेज के परिवर्तन की प्रक्रिया में जांच की जाती है। यह सिमुलेशन विभिन्न हेटरोस्ट्रक्चर के बीच 2DEG शीट वाहक घनत्व की तुलना प्रदर्शित करता है। AlGaN/GaN के लिए प्राप्त अधिकतम 2DEG शीट वाहक घनत्व 1.76×10 13 सेमी -2 है , ^AlN / ^GaN के ^लिए 2.16 ^× 10 ¹³ सेमी ^-2