इलेक्ट्रिकल इंजीनियरिंग और इलेक्ट्रॉनिक प्रौद्योगिकी जर्नल

हाई-के गेट स्टैक के साथ जंक्शन रहित गेट ऑल अराउंड MOSFET के लिए तापमान पर निर्भर उप सीमा नाली धारा मॉडल

सुमन शर्मा, रजनी शुक्ला और एमआर त्रिपाठी

इस पत्र में उच्च-k गेट स्टैक के साथ जंक्शन रहित (JL) गेट ऑल अराउंड (GAA) MOSFET के लिए तापमान पर निर्भर सब थ्रेशोल्ड ड्रेन करंट मॉडल विकसित किया गया है। परवलयिक विभव सन्निकटन (PPA) का उपयोग करके बेलनाकार निर्देशांक में पॉइसन के समीकरण को हल किया गया है। गेट स्टैक की मोटाई को बदलकर JL-GAA MOSFET के सब थ्रेशोल्ड प्रदर्शन पर 300-500 K से तापमान परिवर्तन के प्रभाव को प्रस्तावित मॉडल का उपयोग करके प्राप्त किया गया है। विकसित मॉडल का उपयोग उच्च परिवेश के तापमान पर JL-GAA MOSFET के सब थ्रेशोल्ड- स्लोप का अध्ययन करने के लिए भी किया गया है। विश्लेषणात्मक मॉडल में बैंड-गैप नैरोइंग को भी शामिल किया गया है क्योंकि डोपिंग सांद्रता बहुत अधिक है । संख्यात्मक सिमुलेशन के लिए एटलस-3D डिवाइस सिमुलेशन टूल का उपयोग किया गया है। जैसे-जैसे उपकरण का आयाम रेडियल दिशा में कम होता जाता है, ऑक्साइड की मोटाई में कमी आवश्यक हो जाती है और परावैद्युत के रूप में हाई-के स्टैक के उपयोग की मांग होती है।